据韩媒Edaily和韩联社报道，三星电子在2025年第三季度创下史上最高单季营收纪录，其中半导体暨装置解决方案（DS）部门表现尤为突出，营收达33.1万亿韩元（约合236.43亿美元），营业利润为7万亿韩元。这一成绩标志着三星半导体业务的强劲复苏。
分析指出，三星存储器业务受益于HBM3E、DDR5和服务器用固态硬盘（SSD）等产品的强劲需求，刷新了单季营收纪录。随着全球人工智能（AI）投资的扩大，服务器存储器和高带宽存储器（HBM）需求激增，三星对2025年第四季度和2026年的展望同样乐观。
三星在法说会上确认，第五代高带宽存储器（HBM3E）已向NVIDIA等客户出货，并且2026年的HBM产能已被全数预订。此外，三星还向所有客户提供了第六代高带宽存储器（HBM4）的样品，并计划根据客户需求进行量产。韩媒解读称，三星在HBM4中率先应用了第六代DRAM（1c DRAM），供应流程进展顺利。
与此同时，存储器超级周期的到来进一步拉动了市场需求。三星预计，NAND Flash市场因HDD供给短缺，四阶存储单元（QLC）SSD需求将更加稳固，库存水平将比预期更早触底。即使三星在2026年提高产能和稼动率，供应量仍将远低于需求。
在晶圆代工业务方面，三星2025年第三季度亏损规模显著缩小，创下史上最高的接单业绩。通过先进制程改善稼动率和成本控制，亏损幅度大幅减少。展望第四季度，三星将正式量产第一代2纳米制程（SF2）产品，并计划扩大在AI和高性能运算（HPC）领域的布局。
三星表示，第二代2纳米制程的开发正在按计划推进，未来将持续提升先进制程的比重，以满足市场需求。系统LSI业务方面，三星将重点推动高端系统单芯片（SoC）和CMOS影像传感器（CIS）的销售。
总体来看，三星存储器业务的策略是扩大HBM销售，集中量产HBM4，并提高AI用高附加值产品的销售比重，包括DDR5、LPDDR5x和GDDR7等。
