国内首个极紫外光（EUV）光阻剂测试方法于23日正式对外公告，这一标准的立项不仅填补了国内在该领域的空白，也为高端光阻剂产业的发展提供了重要支撑。
据人民财讯、证券时报23日报道，国家标准化管理委员会正式对外公示《EUV光阻剂测试方法》，公示期为1个月。该标准由上海大学、张江国家实验室、上海华力微以及上海微电子装备（SMEE）等多家科研单位和企业共同起草，是国内首次针对EUV光阻剂制定的国家级标准。
长期以来，国内在EUV光阻剂测试方面缺乏统一规范，本土企业多依赖国际企业标准，导致材料导入周期长、测试结果缺乏对比性，影响了本土晶圆厂的采用信心。此次国家标准的建立，旨在构建统一的测试体系，明确灵敏度（E₀）、线边缘粗糙度（LER）等核心指标，推动数据互认、测试设备本土化以及产业自主可控。
EUV光阻剂是极紫外曝光技术的关键材料，波长仅13.5纳米，广泛应用于7纳米及以下制程。目前，全球市场主要由日本JSR等日系大厂主导，市占率超过95%，而国内在这一领域的本土化率仍为零。
近年来，国内在光阻剂研究方面取得了一系列突破。例如，北京大学团队利用冷冻电子断层扫描技术，首次解析了光阻剂分子在液相环境中的3D结构，为降低曝光缺陷提供了理论依据；南开大学则在钛氧簇曝光材料领域开创新方向，实现了12.9纳米高分辨图案制备。此外，华东理工大学和清华大学分别在化学液相沉积技术和新型光阻剂开发方面取得重要进展。
业界人士指出，标准化是推动先进制程材料本土化的基础。随着相关标准体系的完善，国内EUV光阻剂供应链有望逐步形成，促进上游材料与下游晶圆厂的合作。
