据清华大学官网发布，其化学系许华平教授领衔的研究团队成功研制出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane；PTeO）的新型EUV光阻剂，为先进芯片制造技术自主化提供了重要支持。该研究成果于7月16日发表在国际期刊《Science Advances》上。
EUV微影技术是推动半导体制程进入7纳米及更先进节点的核心技术，而光阻剂作为其关键材料，直接影响芯片的分辨率与良率。由于EUV波长仅13.5纳米，对材料的吸收能力、能量转换效率及缺陷控制提出了极高要求。然而，美国对中国实施高端半导体技术封锁后，包括ASML的EUV曝光机及相关材料、软件供应几乎全面中断，中国面临严峻的技术瓶颈。
在此背景下，清华大学团队采用了高EUV吸收元素碲（Te），构建出基于Te-O键结构的聚碲氧烷光阻剂。碲的EUV吸收截面在元素周期表中名列前茅，其导入显著提升了光阻剂的吸收能力。同时，Te-O键的较低解离能使其在吸收EUV光能后可实现高灵敏度的正性显影效果。
该光阻剂由单一组分分子构成，结构均一且设计简洁，避免了传统光阻剂依赖化学放大或金属敏化机制带来的复杂性与缺陷问题，制程控制更加精确。研究团队表示，该材料在高吸收效率、反应选择性与分子均一性方面表现优异，是实现EUV光阻剂商业化的潜力候选。
此次研究的第一作者为清华大学2024级博士生周睿豪，2020级博士生曹木青参与实验工作。许华平教授为通讯作者，清华集成电路学院客座教授Mark Neisser及江南大学副教授谭以正为共同通讯作者。研究得到了国家自然科学基金重点项目的资助。
