据韩媒ChosunBiz援引业界消息，三星电子在10纳米级第六代1c DRAM制程上取得重大突破，良率已超过50%。这一进展为三星在高带宽存储器（HBM）市场的竞争提供了重要助力，尤其是在第六代HBM（HBM4）领域的布局中。
目前，HBM市场主要由SK海力士和美光主导，两家公司已率先向NVIDIA供应12层HBM4样品。相比之下，三星因未能通过NVIDIA的品质测试，市场地位受到一定冲击。不过，随着1c DRAM良率的提升，三星计划从2025年下半年开始供应HBM4样品，试图扭转当前的劣势。
业内人士透露，先进DRAM的量产能力直接影响HBM市场的竞争格局。三星决定从HBM4起采用1c DRAM作为核心晶粒，以追赶竞争对手。而SK海力士和美光则分别以1b DRAM为基础开发HBM4。此外，三星晶圆代工部门将采用4纳米制程生产HBM4的逻辑晶粒，而SK海力士和美光则选择委托台积电生产。
目前，SK海力士在第五代HBM3E市场占据领先地位，美光紧随其后。三星虽向AMD供应HBM3E，但由于未能满足NVIDIA的品质要求，其市场形象受到一定影响。与此同时，在通用DRAM市场，三星自10纳米级第四代1a DRAM起，也被认为表现不及SK海力士。
三星此次1c DRAM良率的突破，被认为是其恢复竞争力的关键一步。随着量产阶段的到来，良率有望进一步提升。若能在效能上满足客户需求，三星或将在HBM市场重新赢得竞争优势。
