据韩美半导体（Hanmi Semiconductor）透露，公司近期已开始量产专为HBM4设计的热压键合机（TC Bonder，简称TCB）。这一设备并未采用备受瞩目的无助焊剂（Fluxless）技术，而是基于现有产品进行改良，重点提升价格竞争力。
韩美半导体表示，此次量产的TCB 4设备为2025年5月推出的原型产品，预计自2025年下半年起正式供应。与此同时，全球HBM制造企业也将在2025年下半年启动HBM4的量产计划。针对HBM4的高技术要求，TCB 4不仅提升了精密度，还优化了堆叠结构的稳定性，并通过软件升级增强了操作便利性。
HBM4相较于HBM3E，性能显著提升：运行速度提高60%，能耗降低至70%左右，最多可堆叠16层，每层容量从24Gb扩展至32Gb，I/O接口数量翻倍至2,048个。为满足这些技术革新，部分厂商如荷兰的Besi和韩国的韩华Semitech正积极研发无助焊剂TCB设备，以争取SK海力士等客户的订单。
尽管外界对韩美半导体的技术路线提出质疑，但公司选择以改良现有设备为基础，逐步推进技术升级。根据其技术蓝图，2027年将推出面向HBM5的TCB 5，2028年推出针对HBM6的无助焊剂TCB，2029年则计划发布适用于HBM7的混合键合机。韩美半导体强调，改良后的TCB 4不仅能满足HBM4的生产需求，还能通过降低设备成本吸引更多客户。
韩美半导体相关人士表示，公司已建立完善的量产体系，确保TCB 4能够顺利支持全球存储器厂商的HBM4量产计划，进一步巩固其在AI半导体市场的领先地位。
