三维相变存储器落户武汉

近日，武汉集成电路产业迎来新一轮发展，多个重点项目签约落地，其中包括备受关注的三维相变存储器研发及产业化项目。该项目由芯连鑫（武汉）半导体有限公司投资，计划在武汉经开区建设研发中心，聚焦新型存储器PCM技术的突破，为AI算力网络、数据中心和智能汽车等领域提供支持。

三维相变存储器是一种基于三维堆叠结构与相变材料特性的非易失性存储技术。其核心原理是通过相变材料在晶态与非晶态之间的可逆相变实现数据存储，同时借助三维结构提升存储密度和性能。这种技术被视为存储领域的重要突破，性能介于传统闪存和内存之间，具备断电不丢失数据、速度快、容量适中以及成本较低的优势。

据芯连鑫半导体相关负责人透露，其研发的PCM产品通过材料创新和三维堆叠技术，实现了存储密度与速度的双重提升。据“武汉经开区介绍”，该项目不仅将推动存储芯片的研发，还将开发内存控制芯片、智能网卡光模块等关键器件，构建从芯片设计到模组集成的完整产业链。目前，芯连鑫已与广西天山电子等企业达成战略合作，其研发成果将率先应用于AI服务器和车载智能系统。

据“华中科技大学集成电路学院”介绍，三维相变存储器是当前最具竞争力的新型存储技术之一，能够满足信息量爆发增长对存储器性能的需求，为5G、元宇宙等前沿领域提供底层技术支撑。

武汉近年来高度重视集成电路产业发展，已形成覆盖芯片设计、制造、封测及应用的完整产业链。据湖北省省委书记王忠林在今年初的政府工作报告中提到，2024年武汉光谷存储芯片产值已突破600亿元，规模位居全国第二。

在存储芯片领域，武汉已形成以长江存储、武汉新芯、长江万润半导体等企业为核心的产业集群。其中，长江存储作为存储器IDM企业，成功研发了中国首款3D NAND闪存，并在2020年推出业界领先的第三代QLC闪存。目前，其产品广泛应用于移动通信、数据中心和服务器等领域。

武汉新芯则专注于特色存储、数模混合和三维集成等领域，是中国大陆规模最大的NOR Flash制造厂商。据上交所官网显示，武汉新芯正在冲刺资本市场，2024年前三季度实现营业总收入31.46亿元，归母净利润1.38亿元。