三星电子加码存储技术投资，力图巩固全球市场领先地位

三星电子近日宣布将在平泽二厂（P2）建设一条10nm第七代DRAM试验线，计划于2024年第四季度动工，预计2025年第一季度竣工。这一新建试验线将为三星带来更多的竞争优势，并为新一代DRAM产品的量产奠定基础。

业内普遍认为，这条1d DRAM试验线每月晶圆生产能力将达到10000片，进一步提升三星在存储市场的创新能力。三星还计划于2025年开始1c DRAM的量产，紧接着在2026年推出1d DRAM，显示出其在存储技术领域的雄心壮志。

此次投资不仅体现了新任设备解决方案负责人全英铉对存储技术的深刻理解，还展示了三星积极推动重大技术改革的决心。全英铉以其扎实的技术背景，正引领三星在DRAM和NAND领域加快布局，力争在未来几年继续保持全球技术领先地位。

同时，三星的平泽第一工厂（P1）已成功建成业界首条堆叠400层3D NAND（V10）测试线，且平泽四厂（P4）也已部署堆叠286层（V9）的新设备，进一步巩固了其在NAND闪存技术领域的优势。