美光科技：EUV DRAM将于2025年投产

美光科技正积极布局，以满足即将到来的AI存储需求激增。美光科技的中国台湾负责人Donghui Lu透露，公司已将高带宽内存（HBM）的生产能力完全投入到2025年的规划中。

Donghui Lu强调，大型语言模型的兴起对内存和存储提出了前所未有的挑战与机遇。作为全球领先的存储制造商，美光科技正全力把握这一增长趋势，并预测随着AI技术的进一步普及，尤其是在智能手机和个人电脑等消费设备中的集成，存储容量需求将显著提升。

面对这一市场趋势，Donghui Lu指出，HBM作为先进封装技术的代表，将前端晶圆制造与后端封装和测试工艺紧密结合，为行业带来了新的挑战与机遇。然而，他也警告称，HBM的生产可能会对传统内存生产造成一定冲击，因为每个HBM芯片都需要多个传统内存芯片，这可能会对整个行业的产能造成压力。因此，如何在保持供需平衡的同时，避免生产过剩导致的价格战和行业衰退，成为美光科技需要面对的重要课题。

此外，美光科技还深刻认识到EUV（极紫外光刻）技术对于提高存储芯片性能和密度的重要性。然而，考虑到EUV设备的高成本和复杂性，以及为适应它需要在制造过程中进行的重大改变，美光决定推迟在1α和1β节点的EUV采用，而是优先考虑性能和成本效益。Donghui Lu表示，这一决策使得美光能够以更具竞争力的成本生产高性能存储产品。

值得注意的是，美光科技一直以其8层和12层HBM3E产品的低功耗优势而自豪，相比竞争对手产品功耗低达30%。公司计划于2025年在中国台湾大规模生产采用EUV技术的1γ节点HBM产品。此外，美光还计划在日本广岛工厂引入EUV技术，尽管时间稍晚。