三强争霸：SiC、GaN挑战IGBT市场

半导体功率领域，IGBT、SiC、GaN三强争霸，2024上半年各展风采。SiC凭借电动车市场崛起，尤其在中国市场，成为关键驱动力。

然而，SiC面临成本高昂的挑战，且电动车市场增长放缓、太阳能逆变器需求不振，进一步加剧其经营压力。

SiC正积极拓展工业应用，如充电桩和数据中心，以抢占IGBT市场并压制新兴GaN。相比之下，GaN从3C快充市场崛起，高效充电与小型化优势显著，正逐步向工业及AI数据中心渗透，但在电动车领域尚难与SiC抗衡。

GaN领域内部竞争激烈，专利战愈演愈烈，国际大厂力图遏制国内龙头英诺赛科的全球扩张，维护市场格局。三剑客间的较量，不仅关乎技术创新，更涉及市场策略与成本控制，未来格局尚待观察。