天岳先进定增3亿投建8英寸车规级SiC衬底项目

天岳先进近日宣布了一项重大投资计划，拟通过简易程序向特定对象发行股票，募集资金不超过3亿元，专项用于“8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目”。该项目总投资额高达3.86亿元，预计建设周期为24个月，标志着天岳先进在碳化硅半导体材料领域的又一重要布局。

此次项目聚焦于提升8英寸车规级碳化硅衬底的制备技术，涵盖了碳化硅生长热场仿真、单晶应力与微缺陷控制、导电型碳化硅电阻率控制等多个关键研发方向。天岳先进表示，将通过自主研发与创新，不断优化制备工艺，实现高品质车规级8英寸碳化硅衬底的规模化生产。

该项目的实施，不仅有助于巩固天岳先进在碳化硅材料领域的领先地位，更将有力推动我国碳化硅半导体材料的国产化进程。随着新能源汽车、新型能源体系等领域的快速发展，碳化硅材料的需求将持续增长。天岳先进的这一战略投资，无疑将为我国产业链安全提供坚实保障，同时加速碳化硅材料在高端应用领域的普及与推广。