格芯加速制造下一代氮化镓芯片，获得3500万美元资金补贴

格芯公司最近宣布获得3500万美元的美国联邦资金，以推动其在佛蒙特州工厂上制造差异化氮化镓（GaN）芯片的工作。

这一资金将有助于格芯工厂继续大规模制造下一代氮化镓芯片，这些芯片将应用于航空航天、国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车等领域。

Thomas Caulfield，格芯公司的总裁兼CEO表示：“硅基氮化镓技术在新兴市场中具有广泛的应用，特别是在高性能射频、高压功率开关和控制应用领域。这对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车至关重要。”

格芯计划通过购买更多设备来提升其开发和原型设计能力。这一举措旨在减少供应链风险，提高美国氮化镓芯片的制造速度、供应可靠性和竞争力，从而更好地满足市场需求。