汉磊：MOSFET G3方案已通过客户验证

汉磊（3707）推出碳化硅（SiC）第三代平面型MOSFET G3方案，此一新技术平台，已通过多家客户的可靠度测试，并通过车用规范验证。

汉磊指出，新一代技术将芯片缩小与降低导通电阻，使客户能够有效率地整合元件，提供更小、更节能、更高功率密度的产品，以满足市场技术最新发展的需求，同时，该技术已与国际IDM大厂能力齐头并进。

汉磊总经理刘灿文表示，汉磊研发团队持续投入新一代制程技术，目前正对客户开放碳化硅第三代平面型MOSFET技术平台，相较前一代G2，G3降低了元件面积约40％，并改善导通电阻（Ronsp）30％，满足客户对技术提升与高效的需求，并增加更多国际IDM客户合作商机。

汉磊深耕化合物半导体技术长达10年，其技术可应用在最先进太阳能逆变器、储能系统、尖端EV车用模块，及AI高效能算力服务器等。2024年上半年，短期终端需求仍面临库存调整压力，汉磊预期在通膨逐渐获得控制下，终端需求将逐步复甦。

展望后市，汉磊乐观看待化合物半导体发展，在节能减碳趋势下，半导体绿能、电动车及未来AI服务器的长期成长，必将扩大化合物半导体功率元件需求。法人推估，汉磊至2024年第四季，氮化镓（GaN）月产能达2,000片（与2022年底差异不大），SiC4吋月产能达1,100片（2022年底差异不大），6吋为4,000片（2022年底为1,000片），针对6吋SiC做扩产。