格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金

近日，格芯公司宣布获得了美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其在佛蒙特州Essex
Junction的工厂制造氮化镓（GaN）芯片的生产。

格芯的佛蒙特州半导体制造工厂将继续朝着大规模生产下一代氮化镓芯片的方向发展，这些芯片将用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车等领域。

格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”

作为投资的一部分，格芯计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力，并向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。此外，格芯还计划实施新的能力，以减少公司和客户面临的镓供应链限制的风险，同时提高氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。

氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，受到了市场密切关注。它能够满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求。当前，氮化镓的应用已经不再局限于快充等消费电子市场，而是向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场持续推进。

据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，到2026年，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到13.3亿美金，复合增长率高达65%。

在此背景下，包括格芯、英飞凌、DB Hi-Tech、三安光电、华润微等众多半导体厂商开始扩充生产线，布局氮化镓市场。未来，氮化镓市场成长空间将非常广阔。