三星电子明年起将为英伟达提供HBM3内存

韩国电子巨头三星电子宣布打破长期以来由sk海力士垄断向英伟达供应HBM3的格局，计划从明年1月开始为英伟达提供HBM3。

分析预测，今年以来表现不佳的三星电子半导体业绩将在明年迎来迅速的复苏，部分人认为，三星电子明年下半年在HBM市场的份额将超过sk海力士。

据了解，三星电子已经成功向美国AMD提供了HBM3存储器，但由于AMD在市场上的份额相对有限，供应也相应受到限制。

随着三星电子计划从明年初开始扩大对HBM的供应，业内普遍预期三星半导体业绩将迎来急剧上升。

美林证券研究员Kim Seon-woo表示，三星电子第二季度DRAM销售额有望超过10万亿韩元。而当前第三季度约为554亿元人民币的销售额有望超过13万亿元人民币，年度DRAM销售额预计将超过2021年的水平。

三星电子在HBM3市场的扩大供应将为其半导体业务带来巨大的商机。随着对DRAM需求的增长，三星电子有望在HBM市场上赢得更大份额，这对其未来业绩的提升具有积极的影响。