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来源:ictimes发布时间:2024-07-091934浏览
询问 AI随着全球碳化硅产业的快速发展,国内外大厂纷纷加速从6英寸向8英寸过渡的步伐。近日,意法半导体(ST)宣布将于明年第三季度将碳化硅功率半导体生产工艺升级为8英寸,而中国市场则以天岳先进、天域半导体等为代表,展现出强劲的追赶势头。
天岳先进作为行业领头羊,其上海临港工厂正加快扩建8英寸碳化硅衬底产能,预计临港工厂8英寸总体产能规划将达到约60万片,分阶段实施。同时,天岳先进的超前布局和技术实力,使其8英寸碳化硅产能建设有望超预期实现。
此外,SiCrystal GmbH也宣布扩大SiC衬底生产面积,新厂预计将于2026年初完工,届时总生产能力将比2024年高出约三倍。这些举措无疑将进一步推动碳化硅产业的降本提质和加速入市。
在技术创新方面,天域半导体和芯聚能分别发布了最新的技术专利,涵盖了碳化硅外延片的生长工艺和碳化硅MOSFET器件及其制备方法,为行业技术进步注入了新的活力。这些专利的公布,不仅展示了中国企业在碳化硅领域的研发实力,也为行业未来的发展提供了有力支持。
综上所述,随着国内外碳化硅大厂的加速布局和技术创新,碳化硅产业正迎来新一轮的发展机遇。中国厂商在追赶过程中展现出强大的竞争力和发展潜力,未来有望在8英寸市场占据更多份额。
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