瞻芯电子新一代SiC MOSFET获车规级测试认证

近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）发布了其最新开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z），并成功通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。这一突破标志着瞻芯电子在碳化硅(SiC)技术领域的领先地位进一步巩固。

瞻芯电子的第三代1200V SiC MOSFET产品，包括IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA和IV3Q12013BD，主要用于车载电驱动系统。凭借其卓越的性能表现，这些产品已经获得多家车载电驱动客户的认可和项目定点。

相比于第二代产品，第三代1200V SiC MOSFET在多项核心指标上取得了显著提升。其比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²，达到了国际领先水平。此外，开关损耗较第二代产品降低了30%以上。同时，这一代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数也显著降低，在高温运行条件下，导通电阻增加较少，表现出更为稳定的性能。

在可靠性方面，IV3Q12013T4Z不仅通过了车规级AEC-Q101标准认证，还通过了更为严格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括动态可靠性测试（D-HTRB、D-H3TRB、AC-BTI）等。这些严格的测试充分验证了第三代工艺平台及其产品在各种极端条件下的稳定性和鲁棒性，展示了瞻芯电子迎接市场挑战的充足准备。

作为中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品及工艺平台的公司，瞻芯电子通过持续创新和技术突破，正在向全球领先的SiC功率半导体和芯片解决方案提供商迈进。