CGD推出全新P2系列ICeGaN™ GaN功率IC

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 近日宣布推出全新P2系列ICeGaN™ GaN功率IC，旨在为数据中心、逆变器和工业电源等高功率应用提供超高效率的解决方案。这一系列采用了最新的芯片和封装设计，特点是超低导通电阻（RDS(on)）和出色的能效。

CGD的ICeGaN™ P2系列IC的RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率应用，具有出色的性能优势和高效率特性。该系列产品集成了米勒箝位技术，消除了高速开关过程中的击穿损耗，实现了0V关断，最大限度地减少了反向导通损耗，相比分立eMode GaN和其他现有技术性能更优。新型封装设计提供了低至0.28 K/W的改进热阻性能，优于市场上的其他产品。

ANDREA BRICCONI，CGD首席商务官表示：“随着人工智能的迅速发展，数据中心的能源需求急剧增加，对高功率、高效率解决方案的需求日益迫切。CGD的新一代ICeGaN™功率IC可以帮助客户实现超过100 kW/机架的功率密度，满足了高密度计算的最新热设计功率（TDP）趋势。在工业电机控制和逆变器方面，GaN技术能显著减少热量损失，提升系统的持久性和性能。”

CGD现已推出P2系列ICeGaN™功率IC的样品申请，产品包括RDS(on)为25 mΩ和55 mΩ的四款产品，额定电流分别为60 A和27 A，封装采用了10 mm x 10 mm的DHDFN-9-1和BHDFN-9-1封装，可与标准MOSFET或IGBT驱动器兼容。

此外，CGD还展示了两款新型P2产品的演示板：与法国IFP Energies nouvelles合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板以及3kW图腾柱功率因数校正演示板。