DB Hitek加速MOCVD设备引进，计划2025年量产GaN半导体

DB Hitek为应对市场竞争，正加速布局化合物半导体领域。该公司已向Aixtron采购MOCVD设备，计划在2024年底前完成GaN半导体量产准备，并预计2025年初开始运营GaN代工业务。

DB Hitek此举意在抢占氮化镓（GaN）代工市场，其《经营创新计划》显示，将投资4000亿韩元使GaN月产能在2026年达到1万片。相较于三星电子和SK KeyFoundry的类似计划，DB Hitek的量产时间有望更早。

此外，DB Hitek还计划投资7000亿韩元进军碳化硅（SiC）市场，目标在2030年前实现月产能2万片。随着GaN和SiC市场的快速增长，DB Hitek的积极布局有望使其在未来市场中占据重要地位。

市调机构Yole Development预测，GaN和SiC市场均将呈现高速增长，DB Hitek的抢滩行动有望为其带来丰厚的回报。