车规级SiC爆火，安森美加快布局市场

安森美（ON Semiconductor）近年来在碳化硅（SiC）市场上的积极布局成效显著。公司不仅通过多次收购和扩建提升了SiC晶圆的产能，还通过创新的电源方案支持了全球电动汽车市场的快速扩展。

早在2021年11月，安森美宣布收购SiC晶圆衬底供应商GTAT，进一步巩固了其在SiC供应链中的地位。此外，2019年与科锐（CREE）签署的长期供应协议，也为公司在SiC市场的长远发展奠定了基础。

随着投资扩产政策的支持，安森美在2022年8月完成了位于美国新罕布什尔州哈德逊的SiC工厂落成，将产能提升至五倍。接着，在同年9月，公司宣布扩建捷克共和国Roznov的SiC工厂，预计未来两年将产能提高16倍。2023年9月，安森美的位于韩国富川的超大型制造工厂也完成了扩建，年产能将达到超过一百万片200mm SiC晶圆。

这些举措使得安森美在过去两年内，在SiC衬底、裸芯片、封装和新产品发布等关键领域实现了显著增长，分别达到了10倍、12倍、4倍和3倍。

安森美电源方案事业部汽车主驱方案部门产品总监Jonathan Liao指出，电动汽车市场的蓬勃发展是SiC高速扩产的重要驱动力之一。高功率密度使得汽车更轻便，充电速度也更快，这对电动车的主驱逆变器业务至关重要。据其提供的数据，预计到2030年，全球将有1.5亿台新能源汽车上路，其中40%来自中国，显示出了市场的巨大潜力。

这些举措不仅提升了安森美在SiC市场的竞争力，也为全球电动汽车市场的发展注入了新的动力和活力。