三安2大SiC项目新进展：300亿元+52万片！

近日，三安半导体在重庆的2个碳化硅项目正在加快建设中，重庆市政府网站的公示文件披露了更多的项目信息：

●三安&意法的碳化硅外延、芯片项目：年产车规级芯片52万片，预计于2027年全面建成；

●碳化硅衬底项目：将打造2条碳化硅衬底生产线，达产后年产衬底52万片。

来源：行家说《季度内参-第三代半导体与新能源汽车24Q1》

三安&意法外延、芯片项目：总投资270亿元，总产能52万片

2月5日，重庆高新区生态环境局公布了安意法半导体的《8英寸碳化硅外延、芯片项目环境影响评价文件批准书》，透露了具体建设内容。

企查查显示，安意法半导体有限公司成立于2023年8月，注册资本约为44亿元，由湖南三安和意法半导体合资建设，其中湖南三安持股比例为51%，意法半导体持股比例为49%。

据悉，该项目位于重庆高新区西永微电子产业园，总投资约为230亿元，占地面积约为31万平方米，建筑面积约为25.5万平方米，将建设芯片厂房以及控制中心、动力站、危化品仓库、污水处理站等配套设施。

产能建设方面，该项目主要布设外延、芯片生产线，并分2期建设，各期年产能均为26万片的车规级MOSFET芯片，全厂建成后，可年产车规级MOSFET芯片52万片。

据“行家说三代半”此前报道，该项目已于2023年6月举行奠基仪式，同年11月顺利完成混凝土大体积筏板浇筑。此外，相关环评文件还透露，该项目建设周期为48个月，预计全面落成日期为2027年。

三安重庆碳化硅衬底项目：总投资70亿元，总产能52万片

2月7日，重庆高新区生态环境局还公布了重庆三安半导体的《碳化硅衬底项目环境影响评价文件批准书》。

文件透露，该项目与器件项目共同位于西永微电子产业园，总投资约为70亿元，总占地面积约18.4万平方米，总建筑面积约13.7万平方米，建设内容包含碳化硅长晶衬底厂房以及控制中心、动力站、气瓶库、化学品库、危废品库、废水处理站等配套设施。

该项目分两阶段实施，共布设衬底生产线2条：一阶段主要建设碳化硅长晶衬底厂房1及相关配套设施，达产后可实现年产8英寸导电衬底26万片；二阶段建设碳化硅长晶衬底厂房2，部分配套设施在一阶段的基础上扩建，达产后可实现年产8英寸导电衬底26万片；全厂最终达产后年产8英寸导电衬底52万片。

据“行家说三代半”此前报道，该项目于2023年11月15日正式进场施工，施工期为8个月，首栋楼体（B1栋）在2024年1月顺利封顶，预计其余楼栋将在2024年7月前实现全部交付。