中山大学与台湾应用晶体公司合作生产GaN

随着科技的不断进步，半导体材料在各个领域的应用越来越广泛。近年来，电动车、航太、通讯与能源应用市场的高速发展，对次时代化合物半导体材料的需求也在不断增长。在这样的背景下，中山大学与台湾应用晶体公司及其所属集团的合作显得尤为引人注目。

中山大学材料与光电科学学系教授兼晶体研究中心主任周明奇指出，继氮化镓（GaN）、碳化矽（SiC）后，氧化镓（Ga₂O₃）已成为备受瞩目的宽能隙半导体材料。氧化镓具有能承受更高电压与临界电场、电力损耗低、材料透明、可导电等优点，应用领域广泛，包括电动车、电力系统、风力发电、通讯、光电元件、光感和气体传感器等。

然而，生长出高质量的氧化镓单晶块材却是一项极具挑战性的任务。周明奇表示，国内外虽然早有人投入氧化镓磊晶薄膜的研发，但目前还没有人能够成功生长出氧化镓的单晶块材。中山大学晶体研究中心在教育部深耕研究中心的支持下，成功生长出直径6寸的碳化矽晶体块材，并已将相关技术转移给台湾应用晶体公司及其所属集团。这次合作让中山大学更有信心在关键技术上突破氧化镓单晶块材的生长难题。

除了生长出高质量的氧化镓单晶块材外，中山大学还设计长晶设备，包括6寸碳化矽长晶炉与8寸碳化矽长晶炉。这些长晶炉由中山大学创新育成中心孵化的企业制造，具备电源供应器及电脑控制系统等软硬件。

此外，中山大学晶体研究中心还致力于研发用于尖端医疗产品正子断层显影术（PET）的闪烁晶体。PET是目前医界诊断癌症及神经疾病的重要诊断工具。晶体中心与技转企业集团正与美国芝加哥大学、宾州大学及荷兰飞利浦公司合作开发全身正子断层显影设备，有望大幅缩短正子与电脑断层（PET/CT）检查时间，减缓患者的幽闭恐惧症症状。

这次中山大学与台湾应用晶体公司及其所属集团的「大尺寸氧化镓晶体生长」专案合作契约书的签订，将为半导体新兴材料推陈出新注入新的活力。企业将投入新台币5,000万元，支持氧化镓单晶块材的研究。目标是在3年内生产出6寸氧化镓单晶块材，以满足市场对次时代化合物半导体材料的需求。