东科半导体与冠鼎半导体启动新的GaN项目

ictimes消息，近日，国内GaN（氮化镓）封测领域迎来了两大喜讯：东科半导体与冠鼎半导体分别在马鞍山和江门启动了新的氮化镓项目。这两大项目的进展不仅标志着我国在第三代半导体技术领域取得了重大突破，同时也为产业链的发展注入了新的活力。

东科半导体的氮化镓项目自2020年10月开工以来，经过三年的努力，已经取得了突破性进展。该项目总投资达12.25亿元，新增了2条GaN超高频AC/DC电源管理芯片封装线和2条GaN应用模组封装线，年产1亿只超高频AC/DC电源管理芯片和5000万只GaN电源模组。目前，该项目所生产的超高频氮化镓电源管理芯片及相关应用模组年销售收入已达10亿元，成为了国内GaN封测领域的一颗璀璨明星。

与此同时，冠鼎半导体的氮化镓功率半导体生产建设项目也在江门市崖门镇顺利竣工投产。该项目总投资达亿元，盘活了低效厂房，为当地经济发展注入了新的活力。作为江门市鼎翔电子科技有限公司的全资子公司，冠鼎半导体自成立以来便专注于半导体封装材料和精密电子元器件的研发和制造。如今，随着氮化镓项目的顺利推进，冠鼎半导体在GaN封测领域的影响力也将进一步扩大。

这两大项目的成功实施，不仅彰显了我国在GaN封测领域的自主创新能力，也为产业链的协同发展提供了强大的支持。展望未来，我们有理由相信，随着更多优质项目的涌现，我国在第三代半导体技术领域将取得更加辉煌的成就。