三星国内产线获美国解禁 2024年升级3D NAND产线

2024年三星国内西安厂将升级3D NAND产线至200层制程水准。三星

三星电子（Samsung Electronics）取得美国出口管制半导体禁令豁免权后，意味三星国内西安厂解除中长期的不确定性风险，也将能进口美国芯片设备，而2024年三星传将正式升级3D NAND Flash产线至200层制程水准。

继三星规划韩国平泽一厂将从128层NAND转换为236层生产后，韩媒Chosun Biz最新消息指出，三星正在准备更换、升级西安厂的生产设备，特别是2024年将正式开始转换3D NAND产线至200层制程水准。

目前，西安厂约肩负三星整体NAND产量的30%，但既有产线以生产堆叠128层NAND的设备为主。

其实2023年以后，SK海力士、美光（Micron）的3D NAND制程大多已有200层水准，倘若三星西安厂无法持续升级，恐将拖累三星整体NAND产品的生产效率。200层水准的3D NAND生产效率约比128层NAND高出50%，且数据传输速度约提高70%。

不过回顾2022年10月，美国于对国内半导体采全面出口管制，三星、SK海力士（SK Hynix）当时虽获1年缓冲期，但先前韩国业界忧心2023年10月届满将无法使用先进设备，在此背景下，三星也难拍板西安厂的投资。

然而到2023年10月9日，美国政府确定将三星、SK海力士国内厂列为已核实终端用户（verifled end users；VEU），之后三星、SK海力士的国内产线进口美国芯片设备，无须再经过额外单独审批程序，有利三星将既有的128层设备升级至200层水准。

现阶段，三星西安厂中不仅拥有应材（Applied Materials）、科林研发（Lam Research）、科磊（KLA）等美国设备公司的设备，也拥有参与美国对中制裁的荷兰微影设备大厂ASML、日本东京威力科创（TEL）等企业的设备。在三星国内厂列为VEU后，将可于规定技术水准内，自由地运用西安厂内相关公司的设备。

三星相关人士指出，通过美国、韩国政府的协议，三星西安厂不仅能拥有中长期的发展蓝图，也可以稳定营运，加上200层3D NAND产品需求逐步增加，三星国内厂也将加快制程转换脚步。

另外可以观察的是，SK海力士先前向英特尔（Intel）收购的大连NAND厂，也有望进行设备更换和升级。

责任编辑：张兴民