三星传将下调P3厂投资 大砍NAND、DRAM增设规模

2023年初三星规划新增P3厂产线。三星

三星电子（Samsung Electronics）传将下调平泽三厂（P3）投资规模，并大砍DRAM、NAND Flash扩产规模，其中NAND增设规模或可能降至原定3分之1水准，加上随着三星持续转换先进制程，设备更换期间带来的自然减产效果预计也将扩大，引起业界关注。

P3厂为三星最大生产据点之一，而韩媒Chosun Biz引述业界消息指出，2023年初三星规划新增P3厂产线，而以投片量基准，原先三星计划新增8万片DRAM、3万片NAND产能，但最新消息指出，P3厂扩产规模将缩小至5万片DRAM、1万片NAND水准。

虽说2023年下半存储器市况出现回暖迹象，但三星仍保守看待市况。外界解读，三星减少P3厂的增设投资规模，或许也暗示三星2024年不会大幅增加供应量。特别是大砍NAND设备的增设规模，侧面证明三星预期NAND市场恢复速度将比DRAM慢。

据推测，三星设备投资规模也将下滑。此前，业界预期三星2023年存储器设备投资规模约36万亿~37万亿韩元（约267.06亿美元~274.48亿美元），但随着三星调整计划，存储器设备投资规模有可能减少至29万亿韩元。

另一方面，韩国投资证券分析指出，DRAM进入第四代10纳米级（1a）、第五代10纳米级（1b）后，制程流程将增加，制程配方也会发生很大变化，而为转换新制程，须停止既有产线并更换设备，因此企业会选在稼动率下降期间进行更换作业。以此来看，由于三星设备投资减少、制程转换导致稼动率下降，三星的存储器供应规模可能自2023第4季起大幅减少。

事实上，DRAM价格近6个月内已经停止走跌；NAND方面，存储器业者传向客户上调NAND合约价。外界预期，全球三大存储器业者三星、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）准备正式恢复事业收益性，加速公司获利正常化。

责任编辑：范维君