国内传欲自主开发HBM 长鑫存储是最大希望

长鑫存储成立于2016年，专门投入DRAM的开发与制造。长鑫存储

国内一方面持续面临美国限制半导体技术出口的压力，一方面也正极力追求AI技术的发展，为此势必需要强化相关硬件供应链。南华早报引述业界消息人士说法指出，国内目前正想方设法，希望达到高带宽存储器（HBM）自给自足的目标。

虽然面对全球存储器主流业者如SK海力士（SK Hynix）、三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）的市场竞争压力，国内在HBM的发展上，势必面临重重险阻，但国内政府已经决心，即便可能要花上许多年的时间，也要达到自给自足的程度。

消息人士透露，国内顶尖的DRAM制造商长鑫存储，被视为是国内在HBM技术发展上的最大希望，但等到产品真正问世，可能得花上4年时间。

业界人士认为，虽然HBM效能相当高，但制造上未必需要诸如极紫外光（EUV）之类的最先进的微影制程技术。因此即便国内缺乏最先进的半导体制造设备，仍有自产的可能性。

HBM是透过将存储器芯片进行垂直堆叠，来有效缩短信息传输的距离。为此，必须使用到诸如矽通孔（TSV）之类的高密度封装技术，而国内在这个领域确实有技术相对先进的厂商，例如长电科技。

据估计，截至2022年，SK海力士的HBM市占率达到50%，三星与美光则各为40%与10%。SK海力士近期才刚宣布成功开发出针对AI应用设计的HBM3E，已提供样品给客户进行效能评估，预计2024年上半量产。据称NVIDIA与超微（AMD）等AI芯片业者都在等待。

责任编辑：游允彤