英特尔，疯狂扩产封装产能

来源:半导体行业观察发布时间:2023-08-231863浏览

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英特尔积极投入先进制程研发之际，在先进封装领域同步火力全开，正于马来西亚槟城兴建最新封装厂，强化2.5D／3D封装布局版图，22日更喊出2025年时，旗下最先进的3D Foveros封装产能将较目前大增四倍，同时开放让客户也可以只选用其先进封装方案。

外界预期，英特尔结合先进制程与先进封装能量后，「一条龙生产」实力大增，在晶圆代工领域更具竞争力，与台积电、三星等劲敌再次杠上，未来三雄在晶圆代工市占率版图之争将更有看头。

同时，英特尔自家先进封装能力更壮大，并喊话开放让客户只选用其先进封装方案后，预料也会掀起封测市场骚动，须密切关注对日月光、Amkor等专业半导体封测厂的冲击。

台积电、三星都积极布建先进封装技术。台积电方面，主打「3D Fabric」先进封装，包括InFo、CoWoS与SoIC方案；三星也发展I-cube、X-Cube等封装技术。

英特尔不落人后，其先进封装包括2.5D EMIB与3D Foveros方案。半导体三雄的竞争态势从晶圆代工领域，一路延伸至先进封装。

英特尔从2017年开始导入EMIB封装，第一代Foveros封装则于2019年推出，当时凸点间距为50微米。预计今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake处理器，则将利用第二代Foveros封装技术，凸点间距进一步缩小为36微米。

英特尔并未透露现阶段其3D Foveros封装总产能，仅强调除了在美国奥勒冈州与新墨西哥州之外，在未来的槟城新厂也有相关产能建置，这三个据点的3D封装产能合计将于2025年时增为目前的四倍。

英特尔副总裁Robin Martin 22日受访时强调，未来槟城新厂将会成为英特尔最大的3D Foveros先进封装据点。

英特尔二年前宣布投资35亿美元扩充新墨西哥州的先进封装产能，至今仍进行中。至于槟城新厂，该公司表示，兴建进度符合计画，外界推估，该新厂可能于2024年稍晚或2025年完工运作。

值得注意的是，除了晶圆代工与一条龙延伸到封装服务，英特尔表示，开放让客户也可以只选用其先进封装方案，目的是希望让客户可以更能拥有生产弹性。

英特尔在执行长基辛格带领下，推行IDM 2.0策略，除了增加自家晶圆厂产能，扩大晶圆代工业务，同时也希望弹性利用第三方的晶圆代工产能。

随着先进制程演进，小芯片（Chiplet）与异质整合的发展趋势明确，外界认为，英特尔的2.5D／3D先进封装布局除了强化自身处理器等产品实力之外，也是其未来对客户争取更多晶圆代工服务生意的一大卖点。

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