更换NAND核心设备供应链！消息称三星电子下一代NAND闪存改用TEL设备

据韩媒报道，业内人士21日透露，三星电子最近正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽园区的第三工厂（P3）的NAND生产线。三星电子正在加紧努力，增强下一代NAND闪存的竞争力。为了明年彻底改变NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。

三星电子此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。蚀刻设备根据要去除的材料分为几种类型。其中，TEL最新的刻蚀设备对应的是氧化物刻蚀设备。目前，三星电子已将TEL的新型刻蚀设备引入P3 NAND生产线，并正在进行量产测试。

如果三星电子使用该设备进行量产，最有可能应用该设备的是P4工厂。P4是三星电子的下一代半导体制造工厂，最早将于2024年投入运营。与P3一样，它将被创建为一个综合性的晶圆厂，同时大规模生产存储半导体和代工厂。

以P4 NAND生产线为例，据悉它将主要生产V9和V10，这两个产品被认为是下一代NAND闪存。目前，三星电子的旗舰NAND产品是V7和V8产品。其中，V8是三星电子最新推出的NAND闪存，于去年第四季度开始量产。韩媒称，V8的层数估计为236层，V9估计为280层。

三星电子现有的大部分NAND线刻蚀设备都是从美国Lam Research采购的。

优先考虑可靠性和良率稳定性的半导体行业，在核心供应链的变化上必然会保守。尽管如此，业界认为，三星电子更换蚀刻设备供应商的原因可能是多种原因共同作用的。

首先是TEL新设备的优势。与使用单一能源进行蚀刻的现有设备不同，TEL的新设备使用两种能源的组合来提高蚀刻速度和精度。

还有观点认为，Lam Research的设备在下一代NAND的开发中并没有取得令人满意的表现。一位业内人士解释说，“三星电子在开发先进NAND闪存的过程中遇到了良率问题，我们认为Lam Research的设备也是原因之一。”

据了解，三星电子正在非常积极地对TEL的最新设备进行测试。另一位业内人士表示，“P3工厂正在积极备货TEL最新的设备和配套的辅助设施。”