SK海力士开发出全球最高规格HBM3E，向客户提供样品进行性能验证

·实现牵引AI技术革新的最高性能，将于明年上半年投入量产

·有望继HBM3后持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位

·“以业界最大规模的HBM量产经验为基础，扩大供应并加速业绩反弹”

2023年8月21日，SK海力士宣布，公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E*，并开始向客户提供样品进行性能验证。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。

SK海力士强调：“公司以唯一量产HBM3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版HBM3E。并凭借业界最大规模的HBM供应经验和量产成熟度，将从明年上半年开始投入HBM3E量产，以此夯实在面向AI的存储器市场中独一无二的地位。”

据公司透露， HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格，也在发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。

此次产品在速度方面，最高每秒可以处理1.15TB（太字节）的数据。其相当于在1秒内可处理230部全高清（Full-HD，FHD）级电影（5千兆字节，5GB）。

与此同时，SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客户在基于HBM3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。

* MR-MUF：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。

** 向后兼容性（Backward compatibility）：指在配置为与旧版产品可兼容的IT/计算系统内，无需另行修改或变更即可直接使用新产品。例如，对CPU或GPU企业，如果半导体存储器新产品具有向后兼容性，则无需进行基于新产品的设计变更等，具有可直接使用现有CPU/GPU的优点。

英伟达Hyperscale和HPC部门副总裁伊恩·巴克（Ian Buck）表示：“英伟达为了最先进加速计算解决方案(Accelerated Computing Solutions)所应用的HBM，与SK海力士进行了长期的合作。为展示新一代AI计算，期待两家公司在HBM3E领域的持续合作。”

SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示：“公司通过HBM3E，在AI技术发展的同时备受瞩目的HBM市场中有效提升了产品阵容的完成度，并进一步夯实了市场主导权。今后随着高附加值产品HBM的供应比重持续加大，经营业绩反弹趋势也将随之加速。”

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