2条SiC/GaN晶圆线通线、投产

●九峰山：6吋SiC中试线通线，打通沟槽 MOS关键工艺。

●BelGaN：氮化镓产线投产，首批产品为650氮化镓器件。

九峰山6吋中试线通线

沟槽SiC MOS晶圆下线

昨天（8月9日），九峰山实验室发文称，他们的6吋SiC中试线于8月1日全面通线，实现了首批沟槽型SiC MOSFET器件晶圆下线。

据介绍，九峰山实验室已经形成了碳化硅沟槽器件制备的自主IP成套工艺技术能力，在4个月内连续攻克碳化硅（SiC）器件刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项关键工艺问题。

此外，他们还开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺，制定并实施了低阻N型和P型欧姆接触的合金化技术方案，系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。

此外，该实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

九峰山实验室于2021年由湖北省人民政府正式批复组建，是9大湖北实验室之一，已建成9000平方米洁净室以及化合物半导体工艺、检测、材料平台，4/6/8 inch工艺平台全兼容。

九峰山实验室首席运营官赵勇此前表示，九峰山实验室规划建设三条中试线，除了这次的6吋碳化硅中试线外，今年3月，其8英寸中试线正式通线运行，首批晶圆（高精密光栅）成功下线。预计今年10月份其4英寸中试线也将通线。

九峰山实验室位于湖北武汉市东湖开发区，根据武汉日报的报道，东湖高新区将启动建设九峰山科技园，规划面积10平方公里，将建设碳化硅器件、氮化镓器件等量产线。

加入碳化硅/氮化镓大佬群，请加微信：hangjiashuo666

BelGaN代工厂投产

首批产品为650VGaN

8月8日，BelGaN 宣布，他们已经将其第一代 650V eGaN技术投入生产，并且其Gen1 技术预计将达到世界领先性能。

BelGaN 首席技术官兼业务开发副总裁 Marnix Tack 博士表示，“Gen1 650V GaN技术是我们进入市场的第一步，我们目前正在开发的第二代和第三代平台的基准，预计将于今年晚些时候和明年初发布。”

据“行家说三代半”此前报道，2022年2月，BelGaN收购了安森美的比利时奥德纳尔德6 英寸晶圆厂，计划改造成6英寸和8英寸的氮化镓功率器件代工厂。

此外，BelGaN还透露，他们在成立仅几个月后，其GaN Valley（氮化镓谷）生态系统已有40多家欧洲GaN行业成员。

BelGaN CEO周贞宏此前曾解释了氮化镓谷的含义。他表示，“BelGaN通过一个开放式第三代半导体代工平台联合IMEC全球领先的氮化镓科研机构建立“氮化镓谷”，我们愿意和产业上下游公司和IDM建立长期合作共赢的生态，把最先进的材料、工艺、技术、产品产业化，通过车规级工厂批量生产提供给市场和客户。”

他还透露，“氮化镓谷”概念得到了国内外产业认可，有多家氮化镓公司包括英诺赛科、博世、英飞凌等都宣布或在探索设立“GaN Valley”研发中心。

插播：了解全球碳化硅/氮化镓产业趋势、项目等，可扫描下方二维码👇👇👇