布局IOWN光通讯 NTT研发光电融合半导体

为了下一代光通讯架构IOWN，NTT正在研发光电融合技术的半导体元件。NTT

NTT为了推动下一代光通讯架构IOWN，一年内投资1,000亿日圆左右（约7亿美元），研发光电融合半导体元件。此外每年投资1.5万亿日圆，用于扩充数据中心。

综合日本读卖新闻（Yomiuri）、日经新闻（Nikkei）等报导，NTT社长岛田明表示，到2028年3月为止的5年经营计划中，将投资约12万亿日圆。其中，包含数据中心、人工智能（AI）与机器人、再生能源事业、下一代光通讯架构IOWN相关等。

NTT力推的下一代光通讯架构IOWN，需要光电融合技术（Photonics-Electronics Convergence）的半导体元件，为此，NTT决定在2023年度（2023/4~2024/3）投资1,000亿日圆，用于光电融合半导体元件等的相关研发，今后也将持续投资。

光电融合的半导体元件，将在2030年起使用，让芯片内部以光来传输与处理数据。在此之前的目标，是在2025年度（2025/4~2026/3），制作出使用光传输数据的相关零组件，也就是在芯片与芯片之间，实现光的数据传输。

上述的半导体元件技术，除了应用在通讯机器与服务器之外，也将设法应用在一般的电子装置，如此一来将可大幅降低电力消耗。

理论上以光来代替电的技术，可让通讯网的耗电降为原来的1%，符合可持续性社会的趋势。

为了IOWN架构所需的光电融合半导体元件，NTT已在2023年6月成立子公司NTT Innovation Device主责此事，并设定营收目标。

在数据中心方面，NTT5年内将投资1.5万亿日圆进行扩充，以因应持续成长中的需求。各企业的数码化正在进行中，基于数据来进行决策的数据驱动（Data driven）社会，正在形成当中，使数码化数据以加速度持续累积。

增加最多的是印度，目前NTT在印度有12个数据中心，预计到2025年度（2025/4~2026/3）将倍增到24个。这是因为当地有许多外资的IT大厂进入，且人口持续增加，潜在需求增加中。

在北美，NTT的数据中心也将从目前的14个，增加到23个。

NTT的数据中心事业规模，将在5年内倍增，以电力供应来计算，预计将达到2,000 Megawatt。这将使节约耗能的技术更为重要。

责任编辑：毛履万亿