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来源:黄女瑛发布时间:2023-08-082579浏览
询问 AI近日,外资机构分析,英飞凌原有基板来源还包括龙头WolfSpeed、安森美(On-Semi)、日本罗姆(Rohm)等,值得注意的是,国内基板供应已占其需求量约2成,未来几季供应量可望倍增。
因良率难掌控,「拥SiC基板、拥天下」成显学。业者指出,英飞凌是IDM厂中极少数未跨入SiC长晶自制者。年初在基板多重布局,被视为是新SiC晶圆厂将登场的起手势,以续朝2030年在SiC市场达30%市占率目标迈进。
市场一度观望,英飞凌是否如车用一线供应商(Tier 1)博世(Bosch)般加码美国投资SiC、让该供应链如虎添翼?考量美中关系,这让国内供应链暗自紧张,如今确定于马来西亚建厂、使其松口气。
另外,依东协贸易输入国内免课税、及地理位置来看,该厂或以支持国内、亚洲市场成份更多,但也暗示英飞凌在国内建厂的机率降低了;对比的是SiC主对手意法携手三安,在国内重庆建8寸SiC晶圆厂,三安还将为其量身打造8寸基板新厂。
其二,锁定客户群不同。英飞凌新厂奠基于各客户的预付款与LTA,其包括客户来自车用、再生能源、储能、工业用等。
车用的客户有福特(Ford)、上汽、奇瑞;另有太阳能逆变器(PV Inverter)大厂SolarEdge,3家国内太阳能暨储能系统厂;还有全球能源管理及自动化大厂施耐德电机(Schneider Electric)预定矽基(Si)及SiC功率产品。
实际上,意法与三安的重庆新厂,虽只字不提最大客户Tesla,但市场认为,该案就是为Tesla上海厂而来、以助其符合政府在地自制率要求,再者,也为国内电动车供应链快速成长的内需市场预先打造。
其三,两种技术缠斗愈演愈烈。英飞凌强调,8寸新厂将利用业界最佳的SiC沟槽式(Trench)技术,有效区隔市场,其为该技术的代表厂;另一技术即为意法主导的平面型(Planar)。
业者补充,前者的技术结构较复杂、良率掌控不易、但节约SiC基板用量;后者较简易、稳定,但基板用量相对大,两技术仍在缠斗中、难分高下。
只是,前波决战点为Tesla Model 3率先采用平面型,这让意法坐拥SiC龙头宝座,也带进其它车厂跟进使用,而安森美也被传出已切入Tesla供应链。
如今英飞凌加大沟槽式产能、又兵分多路加速渗透各领域,颇具围剿以车用为主的平面式市场,实际上,诸多业者也积极朝沟槽式迈进,例如安森美正投入开发沟槽式SiC金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET),计划2024年推出样本。
责任编辑:陈奭璁
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