SK海力士目标2024年DDR5、HBM规模成长2倍 HBM4 2026年量产

随着生成式人工智能（generative AI）热潮带动新一代DRAM市场成长，SK海力士（SK Hynix）针对搭载于AI服务器的高带宽存储器（HBM）和DDR5，提出2024年成长翻倍目标，并宣布HBM4新产品规划，目标巩固市场领先优势。

韩媒首尔经济引述业界消息指出，SK海力士日前针对机构投资者、证券研究员等举行非公开说明会，表示2024年HBM和DDR5等两大产品群，事业规模将成长2倍以上。由于HBM的价格是既有DRAM产品的5~6倍，DDR5价格也比DDR4高出15~20%，若事业规模成功扩大2倍，将有助SK海力士改善业绩。

针对市场趋势，SK海力士认为整体服务器存储器市场中，AI服务器用（包括HBM、DDR4、DDR5等）占比将自2023年17%，于5年后提升至38%。且随着生成式AI逐渐普及，应用相关技术的需求领域及装置增加，对DRAM市场的影响力将扩大3~5倍。

此外，SK海力士也公布新一代产品的发展蓝图，2024年上半量产HBM3E后，第6代HBM产品HBM4目标于2026年量产。HBM4将导入混合键合技术（hybrid bonding）及MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill），DRAM最高堆叠层数将有望从12层提高至16层。

近期半导体业界以高附加价值DRAM为中心，技术、供应竞争日益激烈。除了SK海力士，三星电子（Samsung Electronics）预计于2023年末量产HBM3，与SK海力士共同供应NVIDIA所需的HBM3。且计划投资数千亿韩元（1,000亿韩元约为7,812万美元），将韩国忠清南道天安工厂HBM设备产能扩大约2倍。