详解管制清单：荷兰芯片新规影响哪些DUV型号？45nm以下都受限！

ASML在给集微网的一份声明中强调，荷兰政府新颁布的出口管制条例只涉及部分最新DUV型号，包括 TWINSCAN NXT:2000i 及后续推出的浸润式光刻系统。EUV光刻机在此前已经受到限制，其他系统的发运未受荷兰政府管控。根据ASML官网信息，DUV浸润式光刻系统，包含：TWINSCAN NXT:2050i、NXT:2050i、NXT:1980i 三种光刻机，这些能够进行38nm~45nm制程的晶圆加工。

此外，能够进行45nm以上晶圆加工，如65nm~220nm制程的干式DUV光刻机如：TWINSCAN XT:400L、XT:1460K、NXT:870等，均不在荷兰制裁清单内。

根据集微网翻译的荷兰管制清单如下：

荷兰外贸和发展合作部部长颁布的MinBuza.2023.15246-27 号条例规定，对此前第2021/821 号条例附件一中未提及的半导体先进生产设备的出口实行许可要求（有关先进半导体制造设备）

第二条：本条例规定，未经部长许可，禁止从荷兰出口先进的半导体生产设备。

第三条：

1、第二条所述的许可申请，应由出口商提出并向检察官提交。

2、在任何情况下，申请均应包含：

a出口商名称和地址

b先进半导体制造设备的收货人和最终用户名称和地址

c先进半导体制造设备的接受者和最终使用者名称和地址

3、在任何情况下，检察官都有权要求出口商提供有关出口的合同，和有关最终使用用途的声明。

第四条：

第二条所述的许可证，可以附加条件和规定

第二条所述许可的授予，可以存在限定条件。

第五条：

第二条中提到的许可证，可以在以下情况下被撤销：

a许可证是根据不正确或不完整信息颁发的；

b未遵循许可证的规定、条件和限制；

c出于国家外交和安全政策的考虑。

半导体先进生产设备管理规定附录

用于半导体设备或材料的生产设备、软件和技术，以及为其专门设计的零部件和配件。

3B001.l

EUV掩膜

3B001.m

EUV掩膜生产设备

3B001.f.4

以下光刻设备：

a 使用普通光源或X射线进行晶圆加工、对准和重复曝光的设备，具有以下任何特征：

1.光源的波长小于193nm；

2.光源的波长≥193nm，但是能够产生最小可分辨尺寸（MRF）小于或等于45nm的图案；或者套刻精度≤1.50nm。

3B001.d.12

用于金属原子层沉积（ALD）的设备：

a具备以下所有条件：

1.一种以上的金属源，其中一种是以铝（Al）为前体设计的；

2.具有温度高于45℃的进料容器

b设计用于沉积具有以下所有特征的金属材料：

1.沉积碳化钛铝（Ti Al C）

2.可以使晶体管势垒高于4.0ev的金属材料

3B001.a.4

用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂硅锗（SiGe）这几种材料外延生长的设备：

a具有以下所有条件：

1.在多个腔室和工艺步骤之间保持高真空度（水和氧分压≤0.01Pa），或形成惰性气氛（水和氧分压≤0.01Pa）的装置。

2.至少有一个用于清洁晶圆表面的预处理室，等等。

3.外延沉积工作温度≤685℃。

3B001.d.19

设计用于介电常数低于3.3的金属线之间，在宽度小于25nm、长宽比≥1:1的空隙中，进行无空隙等离子体放大沉积的设备。

3D007

专门用于开发、生产或操作本法规3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19项规定的设备而研发的软件。

3E005

开发、生产或使用本法规3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19项规定的设备所需的技术。

“新颁布的管制条例今年9月1日生效，现在ASML可以开始提交出口许可申请；9月1日之后，管制条例涉及的设备型号出口需向荷兰政府提交出口许可申请，由荷兰政府决定是否批准授予许可证。”ASML方面告诉集微网。

这意味着9月1日之前发货的DUV光刻机或不受影响。

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