关键性突破！这款8吋SiC设备完成首轮验证

6月29日，中国电科48所宣布，他们自主研制的8吋SiC外延设备首次亮相，并且已经完成首轮工艺验证。

在SEMICON China 2023上海展上，中国电科集团携集成电路、第三代半导体、半导体显示、光伏及热工等领域设备和工艺整体解决方案重装亮相，全面展示了最新实践和成果。

展会期间，48所重磅发布了最新研制的8英寸碳化硅外延设备。该设备将进一步推进SiC电力电子器件制造降本增效，牵引SiC行业向低成本、规模化方向发展。

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48所党委书记王平介绍，“当前主流的SiC单晶与外延生长还处于6吋阶段，扩大尺寸成为产业链降本增效的主要路径。48所聚焦第三代半导体产业发展的迫切需求和瓶颈问题，抢滩布局，奋力开展8吋SiC外延设备关键技术突破及工艺研发，目前该设备已完成首轮工艺验证，为48所驶入SiC产业‘快车道’打下了坚实基础。”

经过一年的技术攻关，48所研发团队在6吋SiC外延设备基础上，进一步优化水平进气装置设计、热壁式反应室构型等设计，克服了大尺寸外延生长反应源沿程损耗突出、温流场分布不均等问题，满足了大尺寸、高质量外延生长需求，实现了外延装备从6吋到8吋的技术迭代。

目前，48所自研的8吋SiC外延设备核心技术指标取得了关键性突破，8英寸生长厚度均匀性＜1.5%，掺杂浓度均匀性＜4%，表面致命缺陷＜0.4个/cm²，这些技术指标的突破，标志着48所已成功掌握8吋SiC外延设备相关技术。

48所表示，作为我国半导体装备领域的“国家队”，他们将始终致力于半导体微细加工设备的技术研究，坚持在创新实践中奋进领跑，加速推进产品迭代升级和产业化应用，为实现我国半导体装备领域关键核心技术自立自强作出积极贡献。

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