Hanmi新时代HBM设备 预定2H23上市

韩国半导体后段制程设备业者Hanmi Semiconductor进军高带宽存储器（HBM）制程，研发新时代设备。为因应用于人工智能（AI）的高效能存储器需求成长，拟推出新时代HBM键合机（Bonder）。

据韩媒ET News报导，Hanmi正在研发名为「New Dual TC Bonder」的机台，目前已进入最后研发阶段，最快2023年下半就可上市，可将直通矽晶穿孔技术（TSV）制造的芯片键合、堆叠在晶圆上。

Hanmi先前已推出第一代键合机，将New Dual TC Bonder作为第二代产品，改良生产力与精密度，瞄准快速成长的AI、HBM市场需求。市调机构预测，HBM在整体DRAM市场的比率虽然不到1%，但从2023~2025年将以年平均成长率45%快速成长。

HBM以2层、4层、8层的结构增加堆叠层数，效能也持续提升。市场上的产品以8层为最多，业界则有业者准备推出12层产品。Hanmi Semiconductor拟用新时代设备加速抢攻HBM市场。

Hanmi产品有投入芯片封装的裁切机、检测机、堆叠机、搬运机等，产品外销比例高，因应越南成为新的半导体世界工厂，已前进越南设厂。

在TechInsights客户满意度调查之中，Hanmi曾与ASML、科林研发（Lam Research）、应材（Applied Materials）等国际知名半导体设备业者一同列名前十，也是韩国唯一入榜的业者。