高效能封装市场规模，2028将至160亿美元

为满足更快数据数据处理和传输、更低功耗和损耗、更高密度整合和带宽需求，高效能（High-end performance；HEP）封装技术正在不断演化与被采用，以整合更复杂的单晶粒（Monolithic die）或小芯片（Chiplet）。

调研机构Yole Intelligence表示，HEP封装平台涉及到如矽穿孔（TSV）、模穿孔（TMV）、微凸块（Microbump）、混合键合（Hybrid bonding）等各种不同解决方案，这些技术主要发展趋势都是要尽可能减少互连间距（Interconnection pitch）。

预估全球采HEP封装的芯片数量会由2022年的5.11亿颗，成长为2028年的43.79亿颗，合计2022~2028年年复合成长率（CAGR）为43%。同期HEP封装市场规模也会由22.1亿美元，成长为167亿美元，CAGR为40%。

目前电信与数据通讯市场为采HEP封装芯片的最主要终端应用市场，约占整体市场规模63%。不过随着消费电子应用市场快速成长，预估2027年该市场规模就会超越电信与数据通讯，成为最大市场。

然而单就市场成长速度而言，则是以汽车与移动性应用市场成长最快，2022~2028年CAGR为72%，远高于消费电子的50%，以及电信与数据通讯的32%。

就产品而言，包括高带宽存储器（HBM）、3DS DRAM、3D NAND等在内的3D堆叠存储器会是推动市场成长的最大贡献者。2028年该部分市场规模将占整体市场70%以上。

成长最快的HEP封装平台则是3D系统单芯片（SoC）、主动式矽中介层（Active Si interposer）、嵌入式互连矽桥（Embedded Si bridge）与3D NAND堆叠。

至于为因应下一代传输带宽与功耗挑战，而将光学元件和矽元件异构整合在单一封装基板上的共同封装光学元件（Co-packaged optics）技术，虽然预期该技术并不会很快获得广泛采用，但正代表着重要的技术改进。目前日月光已将该技术列在自家封装服务发展路线图中。

有别于传统封装技术，HEP封装需要依赖前端制程能力来生产矽中介层、矽桥、3D堆叠存储器，和3D SoC，因此，台积电、英特尔（Intel）、三星电子（Samsung Electronics）等晶圆制造业者会是推动HEP封装创新的主要业者。

而这也使HEP封装正在向前端制造靠拢，并进而使HEP封装供应链进入门槛愈来愈高。尤其是混合键合技术的发展与采用，更是让原本位居封装市场主导地位的委外封测代工业者（OSAT）无从下手。

展望未来，预期纯IC设计业者可能会被，具有最新矽节点制造与HEP封装技术的晶圆制造业者所提供的一站式服务（Turnkey service）所吸引。不过日月光、艾克尔（Amkor）、长电科技、天水华天等顶级OSAT也会设法跟上尖端封装业务步伐，专注在2.5D解决方案，如以有机中介层（Organic interposers）和在模封材料（Molding Compound）中置入嵌入式矽桥等，来取代混合键合技术。

OSAT与封装基板供应业者也有可能会转而与纯IC设计业者、晶圆代工业者或整合元件制造（IDM）业者建立合作夥伴关系，或寻求购并机会。

此外，由于3D堆叠存储器占HEP封装业务营收主要部分，因此单就营收而言，2022年长江存储、三星、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）等存储器业者都在HEP封装市场中，位居领导地位。