三星首度揭露2纳米量产规划 移动、HPC、车用布局曝光

为抢占下一代晶圆代工事业主导权，三星电子（Samsung Electronics）首度曝光2纳米量产计划与效能，预定2025年进入量产。另外，三星也揭露「先盖厂房、延后装机」策略（Shell-First Strategy）阶段性进展，引起各界关注。

综合Chosun Biz、Money Today等韩媒消息，三星于美国硅谷举行「三星晶圆代工论坛2023」透露2纳米量产计划与其效能。三星规划，2025年以移动设备为中心量产2纳米制程（SF2），接着2026年增加高效能运算（HPC）、2027年再扩大至车用半导体领域。

值得注意的是，相较三星第二代3纳米制程3GAP（SF3），SF2制程效能提高12%、功耗效率提高25%、面积减少5%。

1.4纳米制程将按计划在2027年量产。

三星持续扩张先进晶圆代工服务的同时，为确保投资效率、弹性，过去已多次提及「先盖厂房、延后装机」策略。目前，三星正在韩国平泽、美国泰勒（Taylor）晶圆代工厂区率先建设半导体清洁室，预计2027年三星清洁室规模将比2021年大7.3倍。

「先盖厂房、延后装机」策略指的是，优先建设半导体生产所须清洁室，再依市场需求，灵活调整设备投资，并可快速确保产能。

虽然三星过去几经调整平泽三厂（P3）产线、美国泰勒市晶圆厂的投资日程，但根据三星最新计划，韩国P3产线预计于2023年下半正式量产；美国泰勒第一条产线将按计划于2023年下半竣工，2024年下半投入使用。此外，继韩国平泽P3、美国泰勒厂之后，三星也将把生产据点扩大到韩国龙仁国家产业园区。

除此之外，三星规划自2025年起生产8寸氮化镓（GaN）功率半导体；另外也看准6G通讯前景，开发5纳米射频（RF）制程，预计2025年上半量产；不仅如此，三星宣布成立先进封装协议（Multi Die Integration Alliance；MDI），持续提升封装技术。