国星光电：氮化镓SIP封装引领驱动电源发展

随着半导体工艺的进一步发展，先进封装成为了下一阶段半导体技术的重要发展方向。其中，SIP（System in Package）系统级封装技术因可帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗，成为了半导体封装的关键方案之一。

同时，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体则因高频、高能效、耐高压、耐高温、抗辐射等优越性能特点，成为了时下最热门的半导体材料，驱动着新能源汽车、智能电网、新型显示等领域的变革。

作为关键的半导体先进封装技术，以及性能更为优越的半导体材料，SIP与氮化镓的结合又将为半导体下游应用带来怎样的变化？

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SIP系统级封装成半导体行业大趋势

顺应芯片封装的发展趋势，SIP技术由此诞生。通过将多个裸片及无源器件整合在单个封装体内形成系统或子系统，SIP成为了能够实现一定功能的集成电路封装技术。然而SIP封装技术较为复杂，并非简单的芯片与引线框架或基板的连接。

成年斌表示，SIP封装涉及一系列的工艺和技术支持，包括性能、功率密度、功耗、成本等，技术层面还需考虑电磁场，电、热结构应力，装备工艺能力，材料特性等，各项融合才能制造出SIP封装产品，这对企业的封测能力与经验提出较高要求。

在科技快速进步的今天，复杂且全能的SIP封装技术已应用于各大生活与生产场景，包括消费电子、无线电子、医疗电子、云计算、工业控制、汽车电子领域等。展望未来，SIP封装应用将继续扩大，更多不同领域的芯片将朝SIP的方向发展，SIP封装行业市场规模将会成几何倍数增长。

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国星迎难而上，开发丰富氮化镓SIP产品

其中包含了两大技术难点，首先是热均匀性问题，逻辑端和电路功率端相合封时，功率端发出的热量，逻辑端能否承受？热应力变化如何？多项热量不均产生的器件缺陷问题都需要被考量。

另一方面是电磁干扰问题，逻辑端是由低电压控制，而功率端需高电压控制，在较小的器件空间里将会产生电磁干扰的问题，氮化镓SIP器件能否正常工作。因此，氮化镓SIP封装并非简单的各类器件结合，二是需要考虑并解决上述相关的诸多问题。

氮化镓SIP封装器件制造复杂，相关产品更加是少之又少。对于这尚未被挖掘的新兴领域，国星光电迎难而上，通过在LED封装领域的多年经验与优势和在第三代半导体的潜心研究，成为了少数拥有丰富氮化镓SIP封装产品的企业。

目前，国星光电已开发出多款基于SIP封装的氮化镓IC产品，并配套开发出相应的氮化镓驱动方案，可在LED照明驱动电源、LED显示器驱动电源、墙体插座快充、移动排插快充等领域得以应用。

其中，驱动器+氮化镓产品在墙插快充产品上得以应用，具备尺寸小、功率密度高的优势，输出功率达到了35W，达到行业领先水平。系列产品还可以应用于120W、200W磁吸灯和橱柜灯等驱动应用场景；

应用于LED调光的AC/DC氮化镓可控硅调光LED驱动芯片，其简化了开关电路，通过内置MCU芯片，可实现LED亮度从1%到100%的调节；另外，还有一款可双路调光调色的氮化镓控制IC，以电力载波的形式实现通信传输，产品同样将MCU芯片与氮化镓电路相结合。

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国星立足LED封装，重点培育第三代半导体

凭借丰富的封装技术专利与强大科研团队，国星光电持续孵化第三代半导体产业化项目中。除氮化镓SIP封装产品外，国星光电还形成了碳化硅分立器件、碳化硅功率模块、氮化镓电源方案等一系列碳化硅/氮化镓功率器件及应用方案。

在半导体封测层面，国星光电已形成完整封测产线，可生产SOD/SOT系列、SOP系列、DFN/QFN系列、TO系列等封装产品，支撑半导体封测业务高品质、稳定、多样化发展。

展望未来，国星光电在做精做专LED照明、显示封装业务的同时，将做强第三代化合物半导体及功率IC封测业务，期望通过8-10年时间的沉淀，成为化合物半导体封测龙头。（文：化合物半导体市场 Irving）

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