近日，纳微半导体宣布其采用了全新SiCPAK™模块和裸片的领先碳化硅功率产品已扩展到更高功率市场，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和能量储存等领域。
Source：纳微半导体
目标应用领域涵盖集中式和组串式太阳能逆变器、能量储存系统（ESS）、工业运动控制，电动汽车（EV）车载充电器、电动汽车快速充电桩、风能、UPS、双向微电网、DC-DC转换器以及固态断路器。
部分GeneSiC功率器件使用场景（Source：纳微半导体）
从650V到6500V，纳微半导体覆盖了最全面的碳化硅电压范围。从最初的分立封装系列-从8 x 8毫米的表贴QFN封装到插件TO-247，GeneSiC SiCPAK模块打通了直接进入高功率应用领域的初始入口。纳微至此形成了包括功率模块，高电压SiC MOSFETs和MPS二极管、GaN功率集成电路、高速数字隔离器和低压硅控制集成电路的全方位的功率技术路线图。
SiCPAK™模块采用“压接”技术，为功率电路提供紧凑的外形尺寸，并向最终用户提供经济实惠、高功率密度的解决方案。这些模块基于纳微半导体GeneSiC芯片建造，GeneSiC凭借着卓越的性能、可靠性和坚固性而广为人知。
其中一个显著的例子是SiCPAK半桥模块，额定为6毫欧、1,200伏，并采用了行业领先的沟槽辅助平面栅的SiC MOSFET技术。纳微将提供多种SiC MOSFETs和MPS二极管的配置可用于制定针对特定应用的模块，以实现优异的系统性能。初期发布的产品为额定1,200伏的半桥模块，6、12、20和30毫欧的多款产品。
在无铅SiCPAK中，每颗SiC芯片都用银浆（Ag）焊接到模块基板上，以实现优秀的冷却性能和可靠性。基板本身是“直接键合铜”（DBC），使用活性金属钎焊（AMB）技术在氮化硅（Si3N4）陶瓷上制造，非常适合于功率循环。这种结构具有优异的强度和柔韧性、抗断裂性和良好的热导性，以实现冷却、可靠和长寿命的运行。
对于希望自行制造大功率模块的客户，所有GeneSiC MOSFET和MPS二极管都提供裸片，并带有金（Au）和铝（Al）顶部金属层。（文：纳微半导体）
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