GaN点燃中美专利新战火 国内龙头出海恐踢铁板？

近期第三类半导体氮化镓（GaN）产业一桩中美专利官司，恐让国内GaN龙头英诺赛科的跨海销售踢到「大铁板」。

此一最新战火起因是，美商宜普电源（EPC）近期向美国国际贸易委员会（ITC）及加州法院正式提告英诺赛科专利侵权，并要求美国禁止其产品进口。
 
供应链业者表示，宜普在美启动诉讼，称得上「一箭直射靶心」，主因有二。

其一是，中美关系紧张，让美国司法来掀GaN的专利黑盒，这易让国内业者短期不轻易将产品销往美国，毕竟专利争议产品扣留海关近年时有所闻，这对相关业者造成莫大的损失。
 
其二是涟漪效应。美国的盟友也会同步关注该诉讼动态，尤其一旦被美国法院验证专利侵权，代表销往这些国家恐怕也有争议。这使其他海外客户，因顾虑未来可能波及专利争议，恐会先避开使用使用。
 
在国内GaN市场中，英诺赛科主要提供低、中压GaN功率产品为主，近年因为产能规模扩大、价格极具竞争力，快速排挤其他国内中、小厂，以及原本占居该市场的外商，而宜普就被认为是其中之一。
 
英诺赛科产能规模、市占率得以急起直追，还积极朝海外扩张版图，业者认为，这可从国内的补贴节奏谈起。
 
首先，各押一半投入。政府初期与业者以1比1的资金同比例投入新技术的产能建置，待投产后，业者必须阶段性的达到政府要求营收及销售表现、才可以取得后续的补助款。

但是，新技术生产初期，生产良率不易掌控，再加上设备折旧启动，多数业者难达盈余。此时，政府补助款是这类企业最主要的「造血来源」。
 
再者，卯尽催油门。业者为争取补助款，会卯足全力销售，即使流血砍价也在所不惜。当然，这种模式不足为奇，因为国内诸多产业用此模式崛起。先前也曾发生过赔钱销售得太过火，连补助款都填不满的烧钱大洞，政府还是会基于国家队重点扶持的理念，使其不致于退场。
 
简单的说，「不断壮大」到经济规模、成本最具竞争力，成为全球第一，就是这类业者急奔的目标。
 
实际上，第三类半导体包括GaN、碳化矽（SiC）等，都被国内政府视为弯道超车欧、美、日、韩半导体的关键产业。英诺赛科就是国内政府重点扶植的菁英、称得上是国内的GaN国家代表队。
 
业者说，当下的英诺赛科已愈来愈接近量产规模化的阶段，特别是近几年随着产销及客户反馈量体加大，大大助益生产良率的提升，使营运形成正循环。

当下，英诺赛科在国内稳拿约50%市占江山，近年也积极规划跨足国际市场。业者透露，其价格竞争力更称得上无人能及。
 
中、低压的GaN元件市场，最着名的就是普及全球的3C产品用充电快充头，其中，国内厂成本竞争优势最显眼。

另外，这类元件也一路渗透至混动车、数据中心等市场，甚至在车内的车载充电（OBC）都积极参与。连成本具竞争力的矽基绝缘栅双极晶体管（IGBT）、发展潜力备受青睐的碳化矽都感受到GaN成长带来的威胁。
 
业者坦言，若宜普未祭出上述的专利战帖，让英诺赛科的海外销售恐受箝制，预估未来几年，国内的中、低压GaN产品在全球市占上，有机会呈现急速拉升走势，届时可能不少境外业者恐怕得临出场命运。