三菱将SiC产能提高五倍，大举发力功率器件

来源:半导体行业观察发布时间:2023-05-30817浏览

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自mynavi，谢谢。

三菱电机总裁兼首席执行官 Hiroshi Uruma 表示：“从 2023 年 4 月起，半导体和设备业务总部将由总裁直接控制。公司将通过稳定的供应来支持每个 BA（业务领域）的增长。与此同时，公司对功率器件的战略投资将推动半导体增长，”他补充说，“半导体和器件业务是三菱电机四大优先增长业务之一，并且已经到了中点。其中，在功率器件方面，我们拥有世界一流的功率模块，我们在我们的优势和市场需求相匹配的领域拥有资源。具体而言，我们将积极投资预期 SiC 市场的扩张，通过与供应商的战略联盟加强我们的增长基础，并加速业务扩张。”Hiroshi Uruma说。

此外，关于SiC功率器件的生产，三菱决定投资约1000亿日元建设新厂房。2021 财年至 2025 财年的累计资本投资比之前的计划翻了一番，达到约 2600 亿日元。公司将加快业务增长，”三菱电机半导体和器件业务部门高级执行官兼总经理 Masayoshi Takemi 表示。。

这是再次强调这是一项在推动三菱电机增长方面发挥作用的业务。

三菱电机的半导体和器件业务包括功率器件以及高频和光学器件。

三菱电机事业本部总经理 Takemi 表示：“功率器件和高频/光学器件都是强大的业务，许多产品组在全球市场占有率很高。我们提供实现可持续发展社会不可或缺的关键器件， ”同时表示，“实现碳中和的功率器件是高效功率控制和电机控制的技术进步。追求进化。进一步提高性能和质量，实现所有设备的节能，为社会脱碳做出贡献。此外，高-支持安全、安心、舒适生活的频率和光器件是核心竞争力。通过将化合物半导体技术应用于各种应用，我们提供的产品不仅面向 5G 通信和数据中心等通信领域，还面向传感领域应用于预防犯罪、监控和空调系统。我们希望创造新的价值，充分发挥我们的特点。

特别是在功率器件方面，我们以汽车领域电动化的进展为背景，着眼于SiC。与Si（硅）相比，它将发挥显著降低功率损耗的能力。该公司还旨在保持其在消费领域的最高份额。

“全球功率模块市场预计将增长到1万亿日元规模，我们在该领域拥有第二大业绩记录。它在模块方面也是世界第一，有望扩展到宽带隙未来像SiC这样的半导体，是可以做到的，我们可以创造出更强大的产品，”他自信地说。

在高频和光学设备方面，我们正在推动捕捉 5G 通信普及、大容量通信和人工智能等趋势的提案。在专注于在数据中心超高速通信环境中夺得头把交椅的光学器件的同时，他们还将重点关注用于5G基站的GaN器件。

他说：“我们在先进的化合物半导体技术方面有着良好的记录，我们的优势在于我们的高性能、高质量器件被各个市场广泛接受。”

对于功率器件和高频/光学器件，公司利用其研究开发部门的先进基础技术和生产技术，以及利用三菱电机集团各业务中使用半导体的优势的产品开发。和市场开发，并表示，“我们最大的优势将是通过展示与三菱电机集团多元化资源的协同效应，向市场提供尖端的关键设备。”

大举发力SiC和功率器件

在功率器件方面，我们将立足于工业、可再生能源和铁路领域，将有望快速增长的汽车领域和三菱电机具有优势的消费领域定位为增长动力，将进一步加强我们的产品，生产和销售。据说计划。

除了推进产品的标准化和共享化，我们还将通过拓展战略产品来推动产品组合转型。扩大生产效率高的广岛县福山市福山工厂的生产，并转向12英寸硅晶圆，将提高盈利能力。他表现出致力于为下一次增长奠定业务基础的立场。

此外，我们将以拥有强大技术的SiC为增长核心，开发汽车产品，加速下一代，加强全球销售扩张。最近宣布了合作伙伴关系。未来，我们还将加强我们的采购系统。

此外，“三菱电机自 1990 年代以来一直在开发 SiC 模块，并在全球率先将其安装在室内空调和高速列车中。在包括 Si 在内的汽车行业，模块总数已达到2600万. 在外延和工艺方面先进的化合物半导体技术，以我们独特的沟槽SiC-MOSFET实现世界最高水平的低损耗芯片技术，小型化和轻量化。我们拥有领先的模块技术。我们愿意为通过利用我们坚实的技术基础和一流的客户群，在广泛的领域提供极具竞争力的 SiC 模块。”

此外，关于生产系统，2026 年 4 月，一家生产 SiC 8 英寸晶圆的新工厂将在熊本县菊池市（Sisui）开始运营。到2026财年，该公司计划将其SiC产能从目前水平提高约5倍，包括加强位于熊本县甲子市的现有SiC 6英寸晶圆生产线，该线负责前道工序.

在熊本县菊池市的 SiC 8 英寸晶圆新厂房，我们在无尘室中引入了最先进的空调系统 TCR-SWIT，并彻底回收废热, 与传统方法相比，可节省约 30% 的能源。据称，它还将通过采用自动运输系统来促进劳动力节省，并提高设施利用率。

此外，他指出，与美国Coherent公司的合作对于新工厂的运营将非常重要。“使用8英寸样品基板，我们将反馈外延、工艺等评估结果。我们将快速开发8英寸基板，并确保从2026财年新工厂开始运营时使用的基板。”我会继续。”

此外，对于Si，一条12英寸生产线将从2024财年开始在福山工厂投产。推进8英寸晶圆高效生产，到2025财年产能将翻一番左右。

此外，还将在后处理方面投入约100亿日元。在同为开发设计基地的福冈县福冈市，建造了一座新的厂房，以巩固分散的生产线。除了增加后工序的生产能力外，该公司还打算通过构建从设计开发到量产时的生产技术验证的集成系统来缩短交货时间并增强产品竞争力。

“截至 2025 财年的五年资本投资总额将约为 2600 亿日元，是原计划的两倍，但从 2026 财年开始，我们将继续进行同等或更大规模的积极投资，以进一步扩大我们的 SiC此外，为了扩大市场，我们的目标是到 2030 财年将 SiC 在功率器件中的销售比例提高到 30% 或更高。

此外，“通过提供在社会上实现 DX 和 GX 不可或缺的关键设备，我们将加强三菱电机集团从组件开始的综合解决方案。我们将继续从客户的角度开发具有高附加值的设备。”

关于功率器件，日本企业有一些关于重组的讨论，但三菱电机总裁兼首席执行官 Uruma 表示，“三菱电机正在开发基于 SiC 功率模块的业务，我们正在计划开发这项业务。我们希望将其带入达到全球水平。在意识到我们的竞争对手的同时，我们正在密切关注我们应该采取哪些选择以实现增长。我们正在做我们现在应该做的事情，并思考什么是正确的事情。我会在跑步时考虑它，”他说。

👇👇点击文末【阅读原文】，可查看原文链接！

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3417期内容，欢迎关注。

三菱将SiC产能提高五倍，大举发力功率器件

全部评论

热门搜索