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来源:杭州士兰微电子股份有限公司发布时间:2023-05-262136浏览
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上海光伏展
2023SNEC
2023年5月24-26日,SNEC第十六届(2023)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)大会暨展览会,在上海新国际博览中心如期开展。
士兰微电子作为国内功率半导体的技术领先者,向来访者展示了应用于光伏、新能源的多款高性能功率模块、高能效IGBT器件以及高功率SiC器件等产品和方案。
本次展品主要聚焦三大亮点:一是士兰光伏储能模块产品,二是士兰光伏新能源IGBT器件产品方案,三是士兰SiC器件产品方案,吸引了大量现场客户和观众驻足观看和交流。
01
士兰光伏储能模块
士兰光伏储能模块产品,涵盖了工商业、组串电站、储能、集中式电站等领域,尤其在逆变器产品方面表现优异。
工商业逆变器
推荐产品:逆变模块(INPC)
——SGM450TL7D3TFD
▶使用场合:工商业逆变模块,输出功率125kW;
▶电气特性:采用士兰5代中频650V IGBT,开关损耗小;
▶封装特性:采用士兰D3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

组串电站逆变器
推荐产品:升压模块(飞夸电容boost)
——SGM400DCD10D3BTFD
▶使用场合:组串电站MPPT升压,面板单路电流60A;
▶电气特性:采用士兰5代中频950V IGBT,开关损耗小;
▶封装特性:采用士兰D3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

推荐产品:逆变模块(ANPC)
——SGM400TL10A7BTFD
▶使用场合:组串电站逆变模块,输出功率225kW;
▶电气特性:采用士兰5代中频950V IGBT,开关损耗小;
▶封装特性:采用士兰A7封装,采用绝缘DBC直接散热。

推荐产品:逆变模块(ANPC)
——SGM600TL10D5TFD
▶使用场合:组串电站逆变模块,输出功率320kW;
▶电气特性:采用士兰5代中频950V IGBT,开关损耗小;
▶封装特性:采用士兰D5封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

储能逆变器
推荐产品:逆变模块(INPC)
——SGM225TL12D4DTFD
▶使用场合:储能逆变模块,输出功率100kW;
▶电气特性:采用士兰5代中频1200V IGBT,开关损耗小;
▶封装特性:采用士兰D4封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

集中式逆变器
推荐产品:逆变模块(半桥)
——SGM800HF12A3TFD
▶使用场合:集中式逆变模块;
▶电气特性:采用士兰5代中频1200V IGBT,开关损耗小,可多并联应用;
▶封装特性:采用士兰A3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

推荐产品:逆变模块(半桥)
——SGM800HF12B4TFD
▶使用场合:集中式逆变模块;
▶电气特性:采用士兰5代中频1200V IGBT,开关损耗小,可多并联应用;
▶封装特性:采用士兰A3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

02
士兰IGBT器件产品方案
士兰IGBT器件产品,随着8吋和12吋产能的建设,实现研发和工艺的显著提升,其中FS5 Trench IGBT 量产,650V IGBT合封SiC SBD 量产,车规级IGBT 量产,12吋 IGBT 量产,并且新一代工艺的IGBT和大功率 IGBT产品研发工作也在顺利推进中。




03
士兰SiC器件产品方案
2022年,士兰在SiC器件产品的研发上取得了新的突破,650V SBD 研发成功,1200V SBD 研发成功,明镓6吋SiC晶圆量产通线,第二代1200V SiC MOS 研发成功,参数性能达到国际领先水平。
光伏新能源应用
——士兰1200V 40mΩ SiC MOS
SCDP120R040NP4B 采用士兰微电子碳化硅技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效、高功率密度等特点。该产品可广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等领域。
特点:
66A,1200V,RDS(on)(typ.)=40mΩ@VGS=15V
碳化硅技术
开关损耗低
低反向恢复电荷
降低散热要求
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准

光伏新能源应用
——士兰1200V 30A SiC SBD
SCDP30S120P2 采用士兰微电子碳化硅外延工艺制造而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、不间断和辅助电源、光伏逆变器等领域。
特点:
30A,1200V
零反向恢复电流
正温度系数
低开关损耗
散热要求低

04
现场掠影
士兰微电子利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累,以及不断强化的工艺平台开发能力,不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力,为光伏、新能源客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案,助力产业的蓬勃发展。






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