2023SNEC | 5月24-26日士兰微电子邀您相约上海光伏展

展馆位置

IN SILAN

— 高性能功率模块 —

SGM400DCD10D3BTFD

使用场合

组串电站MPPT升压，面板单路电流60A；

电气特性

采用士兰5代中频950V IGBT，开关损耗小；

封装特性

采用士兰D3B封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。

IN SILAN

— 高功率 SiC 器件 —

40mΩ，1200V碳化硅 MOS功率管

SCDP120R040NP4B N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子碳化硅技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

该产品可广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC 转换器等领域。

特点

● 66A，1200V ，RDS(on)(typ.)=40mW@VGS=15V

●碳化硅技术

● 开关损耗低

● 低反向恢复电荷

● 降低散热要求

● 100%雪崩测试

● 无铅管脚镀层

● 符合 RoHS 环保标准

此外，士兰微电子将在现场展出应用于光伏、新能源的多款IGBT、MOS、SiC等产品和方案，欢迎各位新老客户莅临展会参观交流。

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