希科半导体完成Pre-A轮融资，数台碳化硅CVD炉实现高品质外延片量产

5月15日，希科半导体科技（苏州）有限公司（以下简称“希科半导体”）官微宣布，公司完成了Pre-A轮融资，投资机构包括云懿资本、天堂硅谷和晨道资本。

希科半导体表示， 未来希科半导体将不断提高技术水平，扩大市场份额，快速成长为一家碳化硅外延技术国际领先、为客户提供最高性价比产品的高科技企业。

同时，希科半导体称，近期公司已有数台碳化硅CVD炉到位并调试成功实现了高品质外延片的量产，已对十余个业内标杆客户完成送样并实现了采购订单。

资料显示，希科半导体成立于2021年8月，是一家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的企业，公司外延片产品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）电力电子器件，可提供低缺陷率和高均匀性要求的6寸导电型碳化硅外延晶片。

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