三星电子宣布研发出首款CXL2.0 DRAM

5月12日，三星电子宣布，研发出其首款支持Compute Express Link™（CXL™）2.0的128GB DRAM。同时，三星与英特尔密切合作，在英特尔®至强®平台上取得了进展。

图片来源：三星半导体

继2022年五月，三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（内存扩展器）后，又继续推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高达每秒35GB的带宽。

据三星介绍，CXL 2.0是三星有史以来第一个支持内存池（Pooling）的产品。内存池是一种内存管理技术，它将服务器平台上的多个CXL内存块绑定在一起，形成一个内存池，使多个主机能够根据需要从池中动态分配内存。这项新技术使客户尽可能的降本增效，从而帮助企业将有限的资源重新投资于增强服务器内存中去。

三星电子透露称，计划于今年年底之前开始量产这一最新的CXL 2.0 DRAM，并准备推出多种容量的产品，以满足快速变化的下一代计算市场，进一步加速扩大CXL生态系统。

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