手握美国防订单 英特磊拟申请芯片法案补助扩厂备战

英特磊手握美国国防相关订单，军工用产品2023年出货相对稳健，并拟申请美国芯片法案。李建梁摄（数据照）

随半导体产业可望落底逐步回温，化合物半导体厂英特磊展开后续布局计划，其中，因生产基地大宗聚焦美国本土，以MBE法生产化合物磊芯片（Epi）的英特磊，将申请美国《芯片与科学法案》（CHIPS Act，以下称芯片法案）计划，扩厂为营运备战。

英特磊第1季合并营收为新台币1.48亿元，年减32.76%，毛利率24.94%。董事长高永中表示，第1季营收减少主因系半导体产业景气低迷，持续探底，多数大厂库存水位仍高，量产订单较缓释出，不过，客户并未流失。

以产品别来看，磷化铟（InP）磊芯片销售占比约44.8%、砷化镓（GaAs）销售占比34.0%、锑化镓（GaSb）及劳务收入约18.3%。

高永中说明，半导体产业景气预计已达谷底，接下来英特磊将透过申请美国芯片法案计划及扩大新厂，满足各式订单需求。

熟悉三五族业者分析，2023年消费电子如手机功率放大器（PA）等需求仍疲弱，不过，具有利基特性与应用的航太、军工产品相对稳健，这也反映在台系三五族业者营运表现中，台厂包括砷化镓晶圆代工稳懋、宏捷科，多数主力产品为手机PA或是Wi-Fi PA，第2季陆续走出谷底，但全年需求仍有待观察，目前与手机PA连动的矽基半导体业者泰半展望保守。

不过，磊芯片厂如全新光电、英特磊，及整合元件制造厂（IDM）全讯等，都有部分利基应用，特定产品需求仍相对稳健。以英特磊来说，军工产品因有出货给美国国防相关领域，故锑化镓红外磊芯片需求稳定。

此外，英特磊也已获得高端国防和航空pHEMT量产订单，2023年需求持续增加。砷化镓红外磊晶产品订单则已到位，将与主要商业客户洽谈量产订单。另外，红外夜视增强器的测试仪器正在安装，国防合约也正在谈判中。

英特磊的GaN客户，则对GaN二次生长（GaN+ Regrowth）磊晶产品提高射频（RF）表现表示肯定，客户数量持续增加。

展望后市，高永中表示，面对1Q23营收下滑挑战，正积极调整策略并寻求新的市场机遇。在不确定的市场环境下，英特磊将继续加强MBE软硬件能力，提升产品竞争力，并积极参与国际市场竞争，与全球主要客户合作。

在硬件组件部分，目前有3家公司正在洽谈MBE机台和系统升级销售合约，自制GaN MBE磊晶机台，预计下半年及年底投入生产，自制GaN 300mm GaN/Si MBE磊晶机台设计也已正式开始。硬件组件和服务订单也在增加，整体硬件组件销售比例有望提高。

光电和高频产品部分，1Q量产客户库存仍然较高，但各客户的研发产品订单仍在持续进行，因此磷化铟磊晶产品的长期需求仍然看好。APD客户和产品种类则持续增加，在不受景气影响的情况下，量产订单也在持续增加。高频HBT量产订单则预计在2Q逐步恢复，大尺寸InP HBT等磊晶产品也已开始交货。

责任编辑：毛履万亿