〈台积技术论坛〉谈2奈米以下技术 在低维材料方面取得突破

晶圆代工龙头台积电 (2330-TW)(TSM-US) 今(11)日召开技术论坛，提及 2 奈米以下的技术创新，台积电指出，在奈米片 (nanosheet) 后，垂直堆叠的 NMOS 和 PMOS(互补式场效电晶体 CFET)是未来制程架构选项之一，并已在碳奈米管和 2D 材料等低维材料方面，取得突破。

台积电业务开发资深副总经理张晓强表示，2 奈米预计 2025 年量产，N2P 和 N2X 则计划 2026 年推出，奈米片电晶体效能已超过台积电技术目标的 80%，同时展示优异的能源效率和更低的工作电压，非常适合作为半导体产业节能运算的典范。

对于 2 奈米以下的技术创新，有别于去年技术论坛中，仅提到对 2 奈米后的制程未来发展非常乐观，包括新型电晶体结构、新材料、持续微缩和新导体材料方面出现的创新。

台积电在今年技术论坛中指出，电晶体架构从平面式发展到 FinFET，并将转变至奈米片架构，在奈米片之后，台积电认为，垂直堆叠的 NMOS 和 PMOS(互补式场效电晶体 CFET) 是未来制程架构选项之一，预估在考量布线和制程复杂性后，晶片密度将可提升 1.5 至 2 倍。

除了 CFET，台积电也透露，已在如碳奈米管和 2D 材料等低维材料方面，取得突破，可能实现进一步的尺寸和能源微缩。