壮志凌云！三星半导体宣布：4年超越英伟达、5年击败台积电！

根据韩国媒体报道，三星半导体4日在KAIST（韩国科学技术院）举行了一场演讲上，三星设备解决方案部门总裁庆桂显（Kyehyun Kyung）提出了5年内三星晶圆代工在先进制程方面，将超越竞争对手台台积电的未来愿景。

根据韩国经济日报报道，Kye Hyun Kyung承认当前三星的晶圆代工技术落后于台积电。他表示，三星的4纳米技术较台积电落后大约两年，而其3纳米技术则较台积电落后大约一年。不过，等到2纳米技术之际就会发生变化。他还进一步的大胆预测，三星可以在5年内超越台积电。

三星指出，相较于台积电仍采用的FinFET技术，三星GAA制程技术能生产出比台积电面积减少45%、运算效能增加45%，能耗提升达50%的芯片。KyeHyun Kyung指出，当前客户对三星电子的3纳米GAA制程技术的反映很好。

Kye Hyun Kyung 进一步强调，三星也在努力开发半导体的先进封装技术，以保持领先于竞争对手。他解释，随着半导体制成微缩变得越来越困难，性能最终将通过先进封装来提升。因此，三星在2022年成立了一个先进封装开发团队，公司预计在3到4年内会有显著技术发展。而且，在不久的将来，存储器在人工智能（AI）服务器中的重要性将超过英伟达GPU的重要性。因此，预计到2028年，我们将使发布以存储器为中心的超级计算机。

事实上，先前有报道指称，三星表示近期旗下的4纳米制程良率已获得了改善、接近5纳米制程的水平，而下一代的4纳米制程将提供更高的良率。也因为4纳米制程良率获得改善情况下，在当前台积电4纳米产能吃紧时，传出处理器大厂AMD将部分4纳米制程处理器订单交由三星生产的消息。另外，Google 也将委托三星生产其Pixel 8 智能手机使用的Tensor 3 处理器，预计采用三星的第三代4纳米节点制程。