今日早间，瀚薪科技宣布SiC MOSFET及SiC JBS产品通过AEC-Q101车规级认证。
据介绍，瀚薪科技第四代碳化硅二极管H4S120G020即1200V20ATO-247-2和第二代碳化硅MOSFET H2M120F080即1200V80mΩTO-247-3在已通过厂内AEC-Q101可靠性验证的同时，再次取得第三方实验室AEC-Q101车规认证。
瀚薪H4S JBS/MPS结构肖特基二极管：H4S JBS(Junction Barrier Schottky)/MPS(Merged PiN Schottky)结构肖特基二极管，进一步降低顺向导通压降和反向恢复电流，继续保持抗浪涌电流能力强的优异特性，产品从650V至1200V全覆盖，最大电流60A，最小电流2A，通用的标准封装形式，完整符合充电桩、光伏逆变、服务器电源、通信电源、开关电源等产品所需。
瀚薪科技H2M第二代MOS管：H2M延续第一代H1M产品的优越性能，低的Qg，Coss，RDSon等参数可最大程度减小开关和导通损耗，提升系统效率。推荐驱动电压-5V/20V，最大耐受驱动电压-10V/25V，保证门极可靠的开通和关断。优越的耐短路电流的能力，短路时间长达10us，提高系统的可靠度。
此外，晶圆从4英寸升级为6英寸以提高产品良率和产能，晶圆背面采用减薄工艺，进一步降低热阻。瀚薪科技表示，全系列量产的车规SiC MOSFET，从650V至1700V，内阻最小可达20mΩ，产品型号丰富，适合各种应用。
实际上，瀚薪科技是国内率先具备大规模量产车规级碳化硅MOSFET的功率器件及模块企业，二极管产品也已经规模出货给全球知名企业的本土公司，持续获得投资市场和下游车企的认可，近两年来完成了多轮融资，其中，车企方面，上汽和广汽资本都投资了瀚薪科技。
不难发现，近些年来，国产SiC厂商加足了火力在车用SiC领域赶超国际厂商，在不同程度上取得了突破和实质性进展，也积极与国内下游车企联动，共推国产新能源汽车转型及SiC的国产化替代。
就器件及模块领域而言，目前已有多家企业通过了车规级认证，产品已经上车或正在推动上车，如三安和理想汽车，基本半导体和广汽埃安、芯聚能与吉利等。目前，不少国产汽车已搭载国产SiC产品，在车企和供应链的共同推动下，国产SiC有望在国内新能源汽车大潮下加速扩大市场占有率。（文：化合物半导体市场 Jenny整理）
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