这家厂商宣布Q1开始送样垂直GaN功率器件

2022年9月，美国GaN高压垂直功率开关器件供应商Odyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的开发目标，计划在第四季度开展样品开发等工作。到了1月9日，Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直产品样品已如期在去年Q4完成开发，公司将从2023年Q1开始送样客户。

Odyssey表示，送样后将密切跟进客户对产品性能特点的反馈，期望能够在今年Q2之前获得客户的订单。后续，Odyssey将持续开发和保护垂直GaN技术相关的知识产权，并通过与主要客户合作以获得进一步的优势。

Odyssey介绍，其专有的垂直GaN器件适用于高压电机、太阳能电池板和电动汽车中的下一代800V电池组等电源开关应用。Odyssey声称，相比Si、SiC及水平GaN，垂直GaN技术可为应用场景的性能带来更显著的提升。

目前，除了推进送样和进一步的合作事项，Odyssey还在准备上市登陆纳斯达克。（文：化合物半导体市场 Jenny编译）

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